S1 назвал ИИ-дата-центры драйвером спроса на SiC- и GaN-силовые полупроводники в Японии
Редакция ЦОД:Главное
Рыночный обзор S1 относит быстрорастущую экосистему ИИ и дата-центров в Японии к новым факторам спроса на силовые полупроводники на основе карбида кремния и нитрида галлия. Для ЦОД эти компоненты рассматриваются как потенциальная основа более эффективного преобразования энергии.
- S1 включает ИИ-дата-центры в число новых драйверов японского спроса на SiC- и GaN-силовые полупроводники.
- Потенциальные сферы применения для ЦОД — блоки питания, ИБП, преобразование напряжения и другая электрическая инфраструктура.
- S1 прогнозирует среднегодовой рост мирового рынка SiC/GaN на 23,1% в 2025–2035 годах, до 11,8 млрд долларов США к концу периода.
- Субсидия METI до 129,4 млрд иен относится к инвестиционному плану в силовые полупроводники, а не к дата-центровому проекту.
- Заявленные инвестиции Kioxia/SanDisk и TSMC/Sony не следует трактовать как инвестиции в мощности ЦОД.
S1 опубликовал обзор японского рынка SiC- и GaN-силовых полупроводников. Среди факторов спроса источник выделяет электрификацию транспорта, развитие ВИЭ, промышленную автоматизацию, расширение полупроводниковой отрасли, а также рост ИИ-инфраструктуры и дата-центров.
Для операторов и поставщиков инфраструктуры ЦОД основной контекст связан с электропитанием. В обзоре передовые силовые устройства рассматриваются как потенциальные компоненты блоков питания, ИБП, систем преобразования напряжения и другой электрической инфраструктуры. GaN-приборы при этом позиционируются для высокочастотных и компактных систем преобразования энергии, включая серверную инфраструктуру и источники питания дата-центров.
S1 приводит прогноз роста мирового рынка SiC- и GaN-силовых полупроводников со среднегодовым темпом 23,1% в 2025–2035 годах — до 11,8 млрд долларов США к концу 2035 года. Оценка рынка на 2025 год составляет 1,6 млрд долларов США выручки. Эти показатели следует рассматривать как прогнозы, приведённые в рыночном обзоре, а не как подтверждённый спрос со стороны конкретных дата-центров.
В материале также упоминается одобренный METI в 2023 году совместный инвестиционный план в области силовых полупроводников с участием ROHM и связанной с Toshiba компании; максимальный размер субсидии указан на уровне 129,4 млрд иен. Отдельно приведены планы Kioxia и SanDisk инвестировать в Японии более 31 млрд долларов США до 2032 года, а также совместное предприятие TSMC и Sony в Кумамото стоимостью 4,69 млрд долларов США. Эти инициативы относятся к расширению полупроводниковой экосистемы, а не к строительству или вводу в эксплуатацию дата-центров.
Для рынка ЦОД это может быть сигналом о расширении цепочки поставок энергооборудования по мере роста ИИ-инфраструктуры. Потенциальную выгоду могут получить поставщики GaN- и SiC-компонентов для высокоэффективных источников питания, ИБП и преобразователей. При этом обзор не содержит сведений о конкретных контрактах, поставках либо развертывании таких решений на площадках ЦОД.
Рост ИИ-нагрузок повышает требования к эффективности и плотности мощности систем электроснабжения ЦОД. SiC- и особенно GaN-компоненты могут использоваться в более компактных источниках питания, ИБП и преобразователях напряжения, однако конкретные поставки или внедрения в дата-центрах источник не подтверждает.
- — / 10 сентября 2026 г. · ЯпонскийПервоисточник →
Материал подготовлен редакцией ЦОД:Главное на основе указанных первоисточников.